5月20日，由深圳市大族半導體裝備科技有限公司主辦，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和深圳市半導體行業(yè)協(xié)會支持的“智造不凡，族領未來”半導體發(fā)展趨勢研討會暨大族半導體2022年新技術及關鍵裝備發(fā)布會在深圳寶安圓滿落幕。

大族半導體研發(fā)總監(jiān) 巫禮杰

大族半導體在本次活動中，首次全球發(fā)布激光切片（QCB技術）新技術。大族半導體研發(fā)總監(jiān)巫禮杰對該技術進行了全方位的介紹，充分體現(xiàn)了大族半導體在半導體技術上的研發(fā)底蘊與創(chuàng)新實力，并在此同期發(fā)布了兩款全新設備：SiC晶錠激光切片機（HSET-S-LS6200）、SiC超薄晶圓激光切片機（HSET-S-LS6210），瞬間成為了全場的焦點。據(jù)巫總介紹，以切割2cm厚度的晶錠，分別產(chǎn)出最終厚度350um，175um和100um的晶圓為例，QCB技術可在原來傳統(tǒng)線切割的基礎上提升分別為40%，120%和270%的產(chǎn)能，這一革命性突破瞬間吸引眾多行業(yè)內(nèi)人士的關注。

激光切片（QCB技術）

技術優(yōu)勢

SiC晶錠激光切片機 HSET-S-LS6200

SiC超薄晶圓激光切片機 HSET-S-LS6210

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