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半導(dǎo)體激光器
恩耐推出pearl 878.6nm半導(dǎo)體激光器
材料來源:互聯(lián)網(wǎng)           錄入時間:2012-9-14 11:25:11

關(guān)于878.6nm的半導(dǎo)體激光器用于泵浦Nd:YVO4晶體的研究和測試近幾年已非常成熟,恩耐公司于2011年向市場推出878.6nm半導(dǎo)體激光器,得到了非常好的反應(yīng)。目前北美和歐洲的知名固體激光器公司已大規(guī)模采用878.6nm作為標(biāo)準(zhǔn)泵浦源,用于泵浦固體激光器。與傳統(tǒng)的808nm泵浦相比,恩耐公司的878.6nm激光器具有如下特點:

    1. 量子效率高,無需TEC
    圖1.是Nd:YVO4的能級圖,其中A)是傳統(tǒng)的808nm能級躍遷圖,B)是878.6nm能級躍遷圖,C)是激光發(fā)射對應(yīng)的能級躍遷圖。從圖中可以看出,原子可吸收878.6nm的光從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)4F3/2,直接從激發(fā)態(tài)產(chǎn)生激光。因此具有高的量子效率并能有效減少散熱。恩耐公司的這款878.6nm的半導(dǎo)體激光器在使用中無需TEC溫控,僅通過環(huán)境風(fēng)冷即可。國外文獻(xiàn)報道的這款激光器的泵浦效率可達(dá)70%以上,而一般工業(yè)應(yīng)用中可達(dá)50%。

    2. 波長鎖定,光譜寬度(FWHM)小于1nm
    Nd:YVO4晶體有兩個主要的吸收峰,808nm附近的吸收峰帶寬較寬,而878.6nm附近的吸收帶寬較窄。恩耐公司提供的878.6nm的半導(dǎo)體激光器帶光纖光柵,輸出光譜寬(FWHM)小于1nm,中心波長公差為+/-0.5nm,且鎖定波長在溫度變化+/-5度、電流變化+/-2A內(nèi),波長的變化值小于0.1nm,保證較高的泵浦效率。

    3.電光效率>55%,光纖耦合效率>95%
    恩耐公司具有世界領(lǐng)先的芯片生長技術(shù)、封裝工藝和光纖耦合技術(shù)。878.6nm的激光器電光效率可達(dá)55%以上,400um光纖耦合輸出效率可達(dá)95%以上,輸出功率可達(dá)200W。下圖是恩耐公司典型的一款878.6nm/100W的半導(dǎo)體激光模塊的測試曲線。

    恩耐公司提供的878.6nm的激光模塊,功率范圍為20W-200W,光纖芯徑400um。更多詳情請點擊:www.nlight.net


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