西安炬光科技有限公司發(fā)明專利“HIGH-POWER SEMICONDUCTOR LASTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME”于2014年1月28日正式獲得美國專利商標局授權(quán)，專利號為US 8638827 B2，在獲得美國專利授權(quán)的同時，炬光科技的該專利也在歐盟、日本等國家或地區(qū)進入公開階段。

該發(fā)明專利提出了一種單發(fā)射腔高功率半導體激光器結(jié)構(gòu)設計方法，是炬光科技自主研發(fā)的F-mount^R半導體激光器系列產(chǎn)品的核心技術，該系列產(chǎn)品使用無銦化技術，具有高功率，高可靠性和客戶使用方便等優(yōu)點，該系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應用于固體激光泵浦、激光顯示、激光測距、激光夜視等多個領域。

“HIGH-POWER SEMICONDUCTOR LASTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME”獲美國專利授權(quán)

   炬光科技成立以來，始終堅持自主創(chuàng)新，大力投入研發(fā)，攻克了很多關鍵技術，取得了很多創(chuàng)新成果，過去5年已累計申請專利176項，77項已授權(quán)（其中13項發(fā)明專利）并主導編寫兩項半導體激光器國家標準。此次炬光科技發(fā)明專利獲得美國授權(quán)，是公司創(chuàng)新成果得到認可和公司知識產(chǎn)權(quán)保護的體現(xiàn)，對于公司構(gòu)筑核心技術專利保護網(wǎng)、提升國際市場品牌形象和競爭力具有重要的意義，同時也為公司開拓海外市場過程中抵御知識產(chǎn)權(quán)風險提供有力的保障。