西安炬光科技有限公司發(fā)明專利“HIGH-POWER SEMICONDUCTOR LASTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME”于2014年1月28日正式獲得美國專利商標(biāo)局授權(quán)，專利號為US 8638827 B2，在獲得美國專利授權(quán)的同時，炬光科技的該專利也在歐盟、日本等國家或地區(qū)進入公開階段。

該發(fā)明專利提出了一種單發(fā)射腔高功率半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)設(shè)計方法，是炬光科技自主研發(fā)的F-mount^R半導(dǎo)體激光器系列產(chǎn)品的核心技術(shù)，該系列產(chǎn)品使用無銦化技術(shù)，具有高功率，高可靠性和客戶使用方便等優(yōu)點，該系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于固體激光泵浦、激光顯示、激光測距、激光夜視等多個領(lǐng)域。

“HIGH-POWER SEMICONDUCTOR LASTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME”獲美國專利授權(quán)

   炬光科技成立以來，始終堅持自主創(chuàng)新，大力投入研發(fā)，攻克了很多關(guān)鍵技術(shù)，取得了很多創(chuàng)新成果，過去5年已累計申請專利176項，77項已授權(quán)（其中13項發(fā)明專利）并主導(dǎo)編寫兩項半導(dǎo)體激光器國家標(biāo)準(zhǔn)。此次炬光科技發(fā)明專利獲得美國授權(quán)，是公司創(chuàng)新成果得到認(rèn)可和公司知識產(chǎn)權(quán)保護的體現(xiàn)，對于公司構(gòu)筑核心技術(shù)專利保護網(wǎng)、提升國際市場品牌形象和競爭力具有重要的意義，同時也為公司開拓海外市場過程中抵御知識產(chǎn)權(quán)風(fēng)險提供有力的保障。