SEMI最新研究報(bào)告顯示，2011年全球半導(dǎo)體光刻掩膜板市場(chǎng)達(dá)到了31.2億美元規(guī)模，預(yù)估2013年這一數(shù)字可達(dá)33.5億美元。繼2010年達(dá)到高峰以后，光刻掩膜板市場(chǎng)2011年再次增長(zhǎng)了3%，創(chuàng)下歷史新高。而未來兩年光刻掩膜板市場(chǎng)則預(yù)計(jì)將有4%和3%的成長(zhǎng)。驅(qū)動(dòng)z這一市場(chǎng)成長(zhǎng)的關(guān)鍵主要來自于先進(jìn)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行微縮(小于65納米)，以及亞太地區(qū)制造業(yè)的蓬勃發(fā)展。2010年，臺(tái)灣超過日本成為最大的光刻掩膜板市場(chǎng)，并預(yù)計(jì)將在未來預(yù)期內(nèi)保持最大。

   掩膜制造市場(chǎng)正變得越來越資本密集型;據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，2011年時(shí)掩膜、光罩制造設(shè)備創(chuàng)紀(jì)錄的一年，比上一個(gè)歷史記錄高點(diǎn)2012年再增長(zhǎng)了36%達(dá)到11.1億美元。隨著光刻掩膜板行業(yè)的資本密集度增強(qiáng)，轉(zhuǎn)悠光刻掩膜板(captive photomask)廠商的市場(chǎng)占有率也不斷擴(kuò)大，與2006年得30%相比擴(kuò)大到40%。

數(shù)據(jù)1：2011年各地區(qū)光刻掩膜板市場(chǎng)比例

來源：《Photomask characterization Summary》報(bào)告

針對(duì)sub45納米制程節(jié)點(diǎn)，透過顯影光源優(yōu)化(Source Mask Optimization，SMO)的應(yīng)用將可擴(kuò)展單次曝光程序，而雙重曝光(double patterning)技術(shù)也被視為重要方案。為了協(xié)助將光學(xué)光刻技術(shù)延伸至22納米節(jié)點(diǎn)尺寸，除了雙重曝光和SMO之外，芯片制造商還打算利用運(yùn)算光刻 (computational lithography)的技術(shù)。定向自裝作為延伸光學(xué)光刻到10nm節(jié)點(diǎn)的一個(gè)可能的方法近日獲得了大量的關(guān)注。

雖然EUV的光源和光阻已有所改善，但目前EUV已被推遲至少到14nm節(jié)點(diǎn)，但一些產(chǎn)業(yè)觀察人士認(rèn)為EUV可能在10nm進(jìn)入量產(chǎn)。然而，有關(guān)技術(shù)準(zhǔn)備的擔(dān)憂依然存在，一些芯片制造商在14nm采用并行的光刻技術(shù)路線圖。何時(shí)或是否EUV會(huì)被廣泛采用，還得取決于成本考慮，以及能否為此革命性技術(shù)形成新的供應(yīng)鏈。

而對(duì)于大批量光刻掩膜板(merchant photomask)供貨商來說，經(jīng)濟(jì)方面的不確定性因素遠(yuǎn)比技術(shù)問題更讓人頭痛，隨著線寬必須不斷縮小的趨勢(shì)下，廠商面臨諸多艱巨的挑戰(zhàn)，更多先進(jìn)的光刻掩膜板工具和材料必須應(yīng)運(yùn)而生，但卻僅有部份的客戶會(huì)轉(zhuǎn)移至更小尺寸的產(chǎn)品，而且似乎對(duì)于專有光刻掩膜板廠商的依賴也日益加深，因此批發(fā)式光刻掩膜板產(chǎn)業(yè)必須在一個(gè)正在萎縮的市場(chǎng)上找到它的平衡點(diǎn)，既能進(jìn)行技術(shù)升級(jí)發(fā)展也能兼顧資本成本。

SEMI最近發(fā)表了《Photomask characterization Summary》，對(duì)2011年的光刻掩膜板市場(chǎng)提供詳細(xì)的分析，并以全球七個(gè)主要地區(qū)，包括北美、日本、歐洲、臺(tái)灣、韓國(guó)、中國(guó)、以及其它地區(qū)進(jìn)行市場(chǎng)分析，該報(bào)告還囊括每一地區(qū)從2006至2013年間的相關(guān)數(shù)據(jù)。
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