2024年6月14日,第二屆“2024行家說三代半汽車&光儲充SiC技術應用及供應鏈升級大會”在上海虹橋新華聯索菲特大酒店隆重召開。大族半導體產品線總經理巫禮杰先生作為特邀嘉賓,發(fā)表了題為“激光技術助力8inch SiC襯底降本增效”的專題演講。他憑借豐富的行業(yè)經驗和獨到的見解,深入剖析和分享激光技術在半導體加工領域中的前沿應用。
巫總強調,在晶圓制備的切磨拋流程中,線切割技術長久以來是傳統(tǒng)主流的切片技術,但面對碳化硅這種硬度極高的材料,傳統(tǒng)的多線切割技術在襯底加工中面臨重重困難,導致了材料耗損大、出片率低、效率低等諸多問題。隨著半導體行業(yè)對晶圓需求的日益多元化,特別是在大尺寸8inch SiC襯底切片和超薄切片領域,傳統(tǒng)切片技術已無法滿足當前的工藝要求。因此,新型切割技術的突破成為了推動第三代半導體產業(yè)持續(xù)發(fā)展的核心問題。在此背景下,大族半導體成功研發(fā)了QCB激光切片技術,并于2022年重磅推出了新型SiC晶錠激光切片裝備。該裝備在加工材料利用率、出片率、大尺寸切割以及超薄片切割等方面展現出了顯著優(yōu)勢,已成功應用于8inch SiC襯底的量產,同時形成具有自主知識產權的新一代激光切片關鍵技術及裝備,助力8inch SiC襯底降本增效。 SiC晶錠激光切片設備
型號:HSET-S-LS6200 01 應用領域 大族半導體SiC晶錠激光切片裝備應用于第三代半導體SiC晶錠激光切片,SiC超薄晶圓激光切片等領域。
02 技術優(yōu)勢 大族半導體的SiC晶錠激光切片設備在激光切片技術領域展現了顯著的技術優(yōu)勢,主要體現在以下幾個方面: ● 高動態(tài)高功率飛秒激光器 ● 超快激光時空整形同步聚焦調制技術 ● 激光加工與材料摻雜實時同步調控技術 ● 高效高質低損激光切片剝離分片技術 ● 加工面平整,材料耗損低,出片率高 ● 加工效率快,良率高,8inch大尺寸加工 ● 超薄晶圓加工,加工材料兼容性好 03 實例效果
大族半導體憑借領先的激光裝備技術和創(chuàng)新實力,在半導體加工領域展現出強大的競爭力。除了QCB激光切片裝備外,巫總還特別提及的四款先進激光裝備:SiC激光退火裝備、新型激光改質劃片裝備、激光解鍵合裝備以及激光開槽裝備,均充分展現了大族半導體在高精度、低損傷、高效率、技術創(chuàng)新和成本效益方面的卓越優(yōu)勢。
未來,大族半導體將堅定不移地走在技術創(chuàng)新和產品研發(fā)的最前沿,致力于滿足半導體行業(yè)日益升級的需求,不斷加大在激光裝備技術領域的投入,積極推動激光加工技術的突破和廣泛應用,引領行業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新與發(fā)展。 文章來源:大族半導體 注:文章版權歸原作者所有,本文僅供交流學習之用,如涉及版權等問題,請您告知,我們將及時處理。
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